Estudo e caracterização de filme fino de CdTe obtido por eletrodeposição

Abstract

Este trabalho apresenta o estudo e a caracterização de filme fino de CdTe obtido através do processo eletrolítico de deposição. O filme de CdTe foi eletrodepositado sob diferentes valores de potencial sobre substrato de Ti. Para este efeito, utilizaram-se as técnicas de voltametria cíclica, de microscopia eletrônica de varredura (MEV), de espectroscopia de análise da energia dispersiva por raios-X (EDX) e difratometria de raios-X (DR-X). É verificado que os filmes depositados nos diferentes potenciais apresentam aspecto morfológico semelhante, em forma globular. Foi constatado que, em valores de potencial de deposição menores que -200 mV, ocorre a deposição de estrutura dendrítica. Todavia, este fato não ocorre para valores de potencial igual a -150, -165 e -180 mV. A análise por EDX revelou que a razão estequiométrica atômica Cd/Te é de 1:1. É verificado que o filme de CdTe apresenta apenas a fase CdTe; tem-se os picos de difração associados aos planos (111) e (311) de maiores intensidades relativas, indicando certa orientação preferencial de crescimento do eletrodepósito. Pode-se concluir que na eletrodeposição de CdTe tem-se a forte influência do potencial, caracterizando a formação de filme fino em -180 mV. E, por outro lado, é constatado que os eletrodepósitos crescidos nos diferentes valores de potencial apresentam orientação de crescimento preferencial.